-
1 напряжение на коллекторе фототранзистора
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на коллекторе фототранзистора
-
2 напряжение на коллекторе фототранзистора
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на коллекторе фототранзистора
-
3 напряжение на коллекторе фототранзистора
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на коллекторе фототранзистора
-
4 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
5 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
6 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
См. также в других словарях:
напряжение на коллекторе фототранзистора — Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Обозначение Uбк Uдк UCB UCE [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN collector voltage DE Kollektorspannung… … Справочник технического переводчика
Напряжение на коллекторе фототранзистора — 102. Напряжение на коллекторе фототранзистора D. Kollektorspannung E. Collector voltage F. Tension du collecteur Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uбпрэ UBR EBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… … Справочник технического переводчика
Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — 107. Пробивное напряжение эмиттер база фототранзистора D. Emitter Basis Durchbruch spannung eines Phototransistors E. Emitter base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage emetteur base de pbototransistor Пробивное напряжение … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
режим — 36. режим [частота вращения] «самоходности»: Режим [минимальная частота вращения выходного вала], при котором газотурбинный двигатель работает без использования мощности пускового устройства при наиболее неблагоприятных внешних условиях. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
